◉ SEMICONDUCTOR ENGINEERING CALCULATOR
반도체 계산을
더 정확하고 간편하게.
PN 접합부터 캐리어 농도, 전도도, 공핍층 폭까지. 반도체 공학 핵심 공식을 빠르게 계산하고 결과를 확인하세요.
● 04 CALCULATORS● Si / Ge / GaAs MATERIALS● CLIENT-SIDE
▤ ENGINEERING CALCULATORS
4 MODULES AVAILABLEPN 접합 내장 전위
열평형, 비축퇴 반도체, 완전 이온화 가정.
Vbi = (kT/q) ln(NA·ND / ni²)
결과가 여기에 표시됩니다.
내장 전위와 전위 분포
전위 분포는 공핍 근사의 정규화된 형태이며 가로축은 상대 위치입니다.
재료를 선택하면 300 K 기준 ni가 입력됩니다. 온도 변경 시 ni는 직접 조정하세요.
캐리어 농도
열평형에서 질량 작용 법칙으로 소수 캐리어 농도 계산.
n·p = ni²
결과가 여기에 표시됩니다.
전자·정공 농도 비교
막대 길이는 로그 스케일입니다. 정확한 농도는 아래 숫자로 확인하세요.
비축퇴 반도체의 열평형 조건에서 적용됩니다.
전도도 계산기
전자와 정공이 모두 전도에 기여하는 경우.
σ = q(n·μn + p·μp)
결과가 여기에 표시됩니다.
전자·정공 전도 기여도
막대 길이는 전도도에 대한 각 캐리어의 기여 비율입니다.
이동도는 도핑 농도·온도에 따라 달라지므로 실제 조건에 맞게 입력하세요.
PN 접합 공핍층 폭
급격 접합(abrupt junction), 공핍 근사, 역바이어스 기준.
W = √[(2εs/q)(1/NA + 1/ND)(Vbi + VR)]
결과가 여기에 표시됩니다.
계산된 공핍층 폭
p측과 n측의 실제 계산 비율을 반영합니다.
선택한 재료의 상대 유전율을 사용합니다. 입력 농도는 cm⁻³이며 계산 시 SI 단위로 변환합니다.
PN 접합 시각화
공핍층 폭 계산 후 p측·n측 폭과 전기장 및 에너지 밴드의 개략도를 표시합니다.
공핍층 및 전기장 분포
공핍층 폭을 계산하면 그래프가 표시됩니다.
에너지 밴드 개략도
열평형 PN 접합의 정성적 도식입니다. 실제 밴드갭·페르미 준위·전압 크기를 축척으로 나타낸 그래프는 아닙니다.
사용 안내
이 도구는 반도체 공학 학습을 위한 근사 계산기입니다. 재료 선택은 300 K 참고 물성값을 적용하며, 온도·도핑에 따른 불완전 이온화·축퇴 효과, 이동도 변화, 밴드갭 변화 등은 자동 반영하지 않습니다. 연구·설계 목적의 정밀 결과는 별도 검증이 필요합니다.